Package Information
Vishay Siliconix
S OIC (NARROW): 8-LEAD
JEDEC P a rt N u m b er: M S -012
8
1
7
2
6
3
5
4
E
H
S
D
A
0.25 mm (G a ge Pl a ne)
h x 45
C
All Le a d s
e
B
A 1
L
q
0.101 mm
0.004"
MILLIMETERS
INCHES
DIM
A
A 1
B
C
D
E
e
H
h
L
q
S
Min
1.35
0.10
0.35
0.19
4.80
3.80
5.80
0.25
0.50
0.44
1.27 BSC
Max
1.75
0.20
0.51
0.25
5.00
4.00
6.20
0.50
0.93
0.64
Min
0.053
0.004
0.014
0.0075
0.189
0.150
0.228
0.010
0.020
0.018
0.050 BSC
Max
0.069
0.008
0.020
0.010
0.196
0.157
0.244
0.020
0.037
0.026
ECN: C-06527-Rev. I, 11-Sep-06
DWG: 5498
Document Number: 71192
11-Sep-06
www.vishay.com
1
相关PDF资料
SI4108DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
SI4122DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 27.2A 8-SOIC
SI4126DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 39A 8-SOIC
SI4134DY-T1-E3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4158DY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC
SI4170DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
SI4174DY-T1-GE3 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC
SI4186DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 35.8A 8SOIC
相关代理商/技术参数
SI4104DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 100V 4.6A 5.0W 105mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4108DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 75-V (D-S) MOSFET
SI4108DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 75V 20.5A 7.8W 9.8mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4110DY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 80-V (D-S) MOSFET
SI4110DY-T1-E3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:
SI4110DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 80V 17.3A 7.8W 1.3mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4112 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:DUAL-BAND RF SYNTHESIZER WITH INTEGRATED VCOS FOR WIRELESS COMMUNICATIONS
SI4112-BM 功能描述:射频无线杂项 USE 634-SI4112-D-GM FOR NEW DESIGNS RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作频率:112 kHz to 205 kHz 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:3 V 电源电流:8 mA 最大功率耗散: 工作温度范围:- 40 C to + 110 C 封装 / 箱体:VQFN-48 封装:Reel